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1.3.3 三维情况下的自由电子气（下）
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      [1] 1.1.1 晶体的基本特点
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      1.1.1 晶体的基本特点
      [2] 1.1.2 原子的周期性阵列（上）
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      1.1.2 原子的周期性阵列（上）
      [3] 1.1.2 原子的周期性阵列（下）
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      1.1.2 原子的周期性阵列（下）
      [4] 1.1.3 点阵的基本类型
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      1.1.3 点阵的基本类型
      [5] 1.1.4 晶面指数系统（上）
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      1.1.4 晶面指数系统（上）
      [6] 1.1.4 晶面指数系统（下）
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      1.1.4 晶面指数系统（下）
      [7] 1.1.5 常见晶体结构范例（上）
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      1.1.5 常见晶体结构范例（上）
      [8] 1.1.5 常见晶体结构范例（下）
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      1.1.5 常见晶体结构范例（下）
      [9] 1.2.1 倒易点阵（上）
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      1.2.1 倒易点阵（上）
      [10] 1.2.1 倒易点阵（下）
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      1.2.1 倒易点阵（下）
      [11] 1.2.2 布里渊区
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      1.2.2 布里渊区
      [12] 1.2.3 倒易点阵的范例
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      [13] 1.3.1 一维情况下的能级和轨道...
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      [14] 1.3.1 一维情况下的能级和轨道...
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      [15] 1.3.2 温度对费米－狄喇克分布...
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      1.3.2 温度对费米－狄喇克分布的影响
      [16] 1.3.3 三维情况下的自由电子气...
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      1.3.3 三维情况下的自由电子气（上）
      [17] 1.3.3 三维情况下的自由电子气...
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      待播放
      1.3.3 三维情况下的自由电子气（下）
      [18] 1.4.1 布喇格定律
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      1.4.1 布喇格定律
      [19] 1.4.2 近自由电子模型
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      1.4.2 近自由电子模型
      [20] 1.4.3 能隙的起因
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      1.4.3 能隙的起因
      [21] 1.4.4 布洛赫函数
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      1.4.4 布洛赫函数
      [22] 1.4.5 克朗尼格－朋奈模型（上...
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      1.4.5 克朗尼格－朋奈模型（上）
      [23] 1.4.5 克朗尼格－朋奈模型（下...
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      1.4.5 克朗尼格－朋奈模型（下）
      [24] 1.4.6 能带中轨道的数目
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      1.4.6 能带中轨道的数目
      [25] 1.5.1 能带隙
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      1.5.1 能带隙
      [26] 1.5.2 重要半导体材料Si单晶...
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      1.5.2 重要半导体材料Si单晶的介绍
      [27] 2.1.1 半导体中E-k的关系
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      2.1.1 半导体中E-k的关系
      [28] 2.1.2 半导体中电子的平均速度
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      2.1.2 半导体中电子的平均速度
      [29] 2.1.3 半导体中电子的加速度
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      2.1.3 半导体中电子的加速度
      [30] 2.1.4 有效质量的意义
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      2.1.4 有效质量的意义
      [31] 2.2.1 空穴（上）
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      2.2.1 空穴（上）
      [32] 2.2.1 空穴（下）
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      2.2.1 空穴（下）
      [33] 2.2.2 本征半导体的导电机构
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      2.2.2 本征半导体的导电机构
      [34] 2.3.1 一般情况下的等能面方程
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      2.3.1 一般情况下的等能面方程
      [35] 2.4.1 硅的能带结构
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      2.4.1 硅的能带结构
      [36] 2.4.2 锗的能带结构
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      2.4.2 锗的能带结构
      [37] 2.4.3 能带结构与温度的关系
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      2.4.3 能带结构与温度的关系
      [38] 3.1.1 替位式杂质和间隙式杂质
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      3.1.1 替位式杂质和间隙式杂质
      [39] 3.1.2 施主杂质_施主能级_受...
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      3.1.2 施主杂质_施主能级_受主杂质_受主能级（上）
      [40] 3.1.2 施主杂质_施主能级_受...
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      3.1.2 施主杂质_施主能级_受主杂质_受主能级（下）
      [41] 3.1.3 杂质浅能级电离能的简单...
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      3.1.3 杂质浅能级电离能的简单计算
      [42] 3.1.4 杂质的补偿作用
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      3.1.4 杂质的补偿作用
      [43] 3.1.5 深能级杂质
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      3.1.5 深能级杂质
      [44] 3.2.1 GaAs中的杂质
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      3.2.1 GaAs中的杂质
      [45] 3.3.1 点缺陷
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      3.3.1 点缺陷
      [46] 3.3.2 线缺陷-位错
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      3.3.2 线缺陷-位错
      [47] 4.1.1 复习三维情况下的自由电...
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      4.1.1 复习三维情况下的自由电子气
      [48] 4.1.2 状（能）态密度的定义（...
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      4.1.2 状（能）态密度的定义（上）
      [49] 4.1.2 状（能）态密度的定义（...
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      4.1.2 状（能）态密度的定义（下）
      [50] 4.1.3 状（能）态密度的汇总
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      04:02
      4.1.3 状（能）态密度的汇总
      [51] 4.2.1 费米分布函数f(E)
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      4.2.1 费米分布函数f(E)
      [52] 4.2.2 导带电子和价带空穴浓度...
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      4.2.2 导带电子和价带空穴浓度（上）
      [53] 4.2.2 导带电子和价带空穴浓度...
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      4.2.2 导带电子和价带空穴浓度（下）
      [54] 4.3.1 本征载流子浓度ni
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      4.3.1 本征载流子浓度ni
      [55] 4.3.2 本征半导体的费米能级位...
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      4.3.2 本征半导体的费米能级位置
      [56] 4.4.1 非补偿情形（单一杂质）...
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      4.4.1 非补偿情形（单一杂质）（上）
      [57] 4.4.1 非补偿情形（单一杂质）...
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      4.4.1 非补偿情形（单一杂质）（下）
      [58] 4.4.1 非补偿情形（单一杂质）...
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      4.4.1 非补偿情形（单一杂质）（上）
      [59] 4.4.1 非补偿情形（单一杂质）...
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      4.4.1 非补偿情形（单一杂质）（下）
      [60] 4.5.1 简并的出现
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      04:06
      4.5.1 简并的出现
      [61] 4.5.2 简并半导体的载流子浓度
      1649播放
      01:28
      4.5.2 简并半导体的载流子浓度
      [62] 4.5.3 简并化条件
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      4.5.3 简并化条件
      [63] 4.5.4 简并时杂质的电离
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      4.5.4 简并时杂质的电离
      [64] 5.1.1 电导的微观理论（上）
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      5.1.1 电导的微观理论（上）
      [65] 5.1.1 电导的微观理论（下）
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      5.1.1 电导的微观理论（下）
      [66] 5.1.2 半导体的电导率和迁移率
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      5.1.2 半导体的电导率和迁移率
      [67] 5.2.1 散射几率_平均自由时间...
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      5.2.1 散射几率_平均自由时间及其与迁移率的关系（上）
      [68] 5.2.1 散射几率_平均自由时间...
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      5.2.1 散射几率_平均自由时间及其与迁移率的关系（下）
      [69] 5.2.2 载流子的主要散射机制（...
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      5.2.2 载流子的主要散射机制（上）
      [70] 5.2.2 载流子的主要散射机制（...
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      5.2.2 载流子的主要散射机制（下）
      [71] 5.3.1 迁移率与杂质浓度和温度...
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      07:19
      5.3.1 迁移率与杂质浓度和温度的关系
      [72] 5.3.2 电阻率与杂质浓度的关系
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      5.3.2 电阻率与杂质浓度的关系
      [73] 5.4.1 欧姆定律的偏离和热载流...
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      5.4.1 欧姆定律的偏离和热载流子
      [74] 6.1.1 非平衡载流子的产生
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      6.1.1 非平衡载流子的产生
      [75] 6.1.2 附加光电导现象
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      6.1.2 附加光电导现象
      [76] 6.1.3 非平衡载流子的复合
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      6.1.3 非平衡载流子的复合
      [77] 6.1.4 非平衡载流子的产生
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      6.1.4 非平衡载流子的产生
      [78] 6.2.1 准平衡
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      6.2.1 准平衡
      [79] 6.2.2 准费米能级
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      6.2.2 准费米能级
      [80] 6.3.1 复合的分类
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      6.3.1 复合的分类
      [81] 6.3.2 直接复合
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      6.3.2 直接复合
      [82] 6.3.3 间接复合（上）
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      6.3.3 间接复合（上）
      [83] 6.3.3 间接复合（下）
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      6.3.3 间接复合（下）
      [84] 6.3.4 表面复合
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      6.3.4 表面复合
      [85] 6.4.1 陷阱现象
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      6.4.1 陷阱现象
      [86] 6.4.2 成为陷阱的条件
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      6.4.2 成为陷阱的条件
      [87] 6.5.1 一维扩散方程
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      03:28
      6.5.1 一维扩散方程
      [88] 6.5.2 一维扩散方程的稳态解
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      6.5.2 一维扩散方程的稳态解
      [89] 6.5.3 扩散电流
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      6.5.3 扩散电流
      [90] 6.6.1 浓度梯度引起的自建电场
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      6.6.1 浓度梯度引起的自建电场
      [91] 6.6.2 爱因斯坦关系
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      6.6.2 爱因斯坦关系
      [92] 6.7.1 连续性方程
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      6.7.1 连续性方程
      [93] 6.7.2 连续性方程的特例情况
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      6.7.2 连续性方程的特例情况
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