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6.5.2 一维扩散方程的稳态解
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[1] 1.1.1 晶体的基本特点
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1.1.1 晶体的基本特点
[2] 1.1.2 原子的周期性阵列(上)
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1.1.2 原子的周期性阵列(上)
[3] 1.1.2 原子的周期性阵列(下)
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[4] 1.1.3 点阵的基本类型
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[5] 1.1.4 晶面指数系统(上)
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[6] 1.1.4 晶面指数系统(下)
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[7] 1.1.5 常见晶体结构范例(上)
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1.1.5 常见晶体结构范例(上)
[8] 1.1.5 常见晶体结构范例(下)
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[9] 1.2.1 倒易点阵(上)
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1.2.1 倒易点阵(上)
[10] 1.2.1 倒易点阵(下)
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1.2.1 倒易点阵(下)
[11] 1.2.2 布里渊区
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1.2.2 布里渊区
[12] 1.2.3 倒易点阵的范例
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1.2.3 倒易点阵的范例
[13] 1.3.1 一维情况下的能级和轨道...
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1.3.1 一维情况下的能级和轨道密度(上)
[14] 1.3.1 一维情况下的能级和轨道...
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[15] 1.3.2 温度对费米-狄喇克分布...
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1.3.2 温度对费米-狄喇克分布的影响
[16] 1.3.3 三维情况下的自由电子气...
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1.3.3 三维情况下的自由电子气(上)
[17] 1.3.3 三维情况下的自由电子气...
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1.3.3 三维情况下的自由电子气(下)
[18] 1.4.1 布喇格定律
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1.4.1 布喇格定律
[19] 1.4.2 近自由电子模型
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1.4.2 近自由电子模型
[20] 1.4.3 能隙的起因
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1.4.3 能隙的起因
[21] 1.4.4 布洛赫函数
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1.4.4 布洛赫函数
[22] 1.4.5 克朗尼格-朋奈模型(上...
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1.4.5 克朗尼格-朋奈模型(上)
[23] 1.4.5 克朗尼格-朋奈模型(下...
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1.4.5 克朗尼格-朋奈模型(下)
[24] 1.4.6 能带中轨道的数目
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1.4.6 能带中轨道的数目
[25] 1.5.1 能带隙
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1.5.1 能带隙
[26] 1.5.2 重要半导体材料Si单晶...
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1.5.2 重要半导体材料Si单晶的介绍
[27] 2.1.1 半导体中E-k的关系
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2.1.1 半导体中E-k的关系
[28] 2.1.2 半导体中电子的平均速度
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2.1.2 半导体中电子的平均速度
[29] 2.1.3 半导体中电子的加速度
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2.1.3 半导体中电子的加速度
[30] 2.1.4 有效质量的意义
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2.1.4 有效质量的意义
[31] 2.2.1 空穴(上)
3974播放
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2.2.1 空穴(上)
[32] 2.2.1 空穴(下)
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05:12
2.2.1 空穴(下)
[33] 2.2.2 本征半导体的导电机构
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2.2.2 本征半导体的导电机构
[34] 2.3.1 一般情况下的等能面方程
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2.3.1 一般情况下的等能面方程
[35] 2.4.1 硅的能带结构
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2.4.1 硅的能带结构
[36] 2.4.2 锗的能带结构
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2.4.2 锗的能带结构
[37] 2.4.3 能带结构与温度的关系
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2.4.3 能带结构与温度的关系
[38] 3.1.1 替位式杂质和间隙式杂质
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02:05
3.1.1 替位式杂质和间隙式杂质
[39] 3.1.2 施主杂质_施主能级_受...
3614播放
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3.1.2 施主杂质_施主能级_受主杂质_受主能级(上)
[40] 3.1.2 施主杂质_施主能级_受...
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05:59
3.1.2 施主杂质_施主能级_受主杂质_受主能级(下)
[41] 3.1.3 杂质浅能级电离能的简单...
3391播放
02:00
3.1.3 杂质浅能级电离能的简单计算
[42] 3.1.4 杂质的补偿作用
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3.1.4 杂质的补偿作用
[43] 3.1.5 深能级杂质
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3.1.5 深能级杂质
[44] 3.2.1 GaAs中的杂质
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3.2.1 GaAs中的杂质
[45] 3.3.1 点缺陷
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3.3.1 点缺陷
[46] 3.3.2 线缺陷-位错
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3.3.2 线缺陷-位错
[47] 4.1.1 复习三维情况下的自由电...
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4.1.1 复习三维情况下的自由电子气
[48] 4.1.2 状(能)态密度的定义(...
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4.1.2 状(能)态密度的定义(上)
[49] 4.1.2 状(能)态密度的定义(...
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4.1.2 状(能)态密度的定义(下)
[50] 4.1.3 状(能)态密度的汇总
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4.1.3 状(能)态密度的汇总
[51] 4.2.1 费米分布函数f(E)
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4.2.1 费米分布函数f(E)
[52] 4.2.2 导带电子和价带空穴浓度...
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4.2.2 导带电子和价带空穴浓度(上)
[53] 4.2.2 导带电子和价带空穴浓度...
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10:48
4.2.2 导带电子和价带空穴浓度(下)
[54] 4.3.1 本征载流子浓度ni
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4.3.1 本征载流子浓度ni
[55] 4.3.2 本征半导体的费米能级位...
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4.3.2 本征半导体的费米能级位置
[56] 4.4.1 非补偿情形(单一杂质)...
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05:29
4.4.1 非补偿情形(单一杂质)(上)
[57] 4.4.1 非补偿情形(单一杂质)...
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05:35
4.4.1 非补偿情形(单一杂质)(下)
[58] 4.4.1 非补偿情形(单一杂质)...
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11:14
4.4.1 非补偿情形(单一杂质)(上)
[59] 4.4.1 非补偿情形(单一杂质)...
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11:14
4.4.1 非补偿情形(单一杂质)(下)
[60] 4.5.1 简并的出现
1833播放
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4.5.1 简并的出现
[61] 4.5.2 简并半导体的载流子浓度
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01:28
4.5.2 简并半导体的载流子浓度
[62] 4.5.3 简并化条件
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06:15
4.5.3 简并化条件
[63] 4.5.4 简并时杂质的电离
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02:51
4.5.4 简并时杂质的电离
[64] 5.1.1 电导的微观理论(上)
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5.1.1 电导的微观理论(上)
[65] 5.1.1 电导的微观理论(下)
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06:10
5.1.1 电导的微观理论(下)
[66] 5.1.2 半导体的电导率和迁移率
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01:53
5.1.2 半导体的电导率和迁移率
[67] 5.2.1 散射几率_平均自由时间...
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11:55
5.2.1 散射几率_平均自由时间及其与迁移率的关系(上)
[68] 5.2.1 散射几率_平均自由时间...
1266播放
11:56
5.2.1 散射几率_平均自由时间及其与迁移率的关系(下)
[69] 5.2.2 载流子的主要散射机制(...
2479播放
05:56
5.2.2 载流子的主要散射机制(上)
[70] 5.2.2 载流子的主要散射机制(...
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05:58
5.2.2 载流子的主要散射机制(下)
[71] 5.3.1 迁移率与杂质浓度和温度...
2403播放
07:19
5.3.1 迁移率与杂质浓度和温度的关系
[72] 5.3.2 电阻率与杂质浓度的关系
2424播放
07:07
5.3.2 电阻率与杂质浓度的关系
[73] 5.4.1 欧姆定律的偏离和热载流...
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08:36
5.4.1 欧姆定律的偏离和热载流子
[74] 6.1.1 非平衡载流子的产生
3533播放
04:35
6.1.1 非平衡载流子的产生
[75] 6.1.2 附加光电导现象
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02:17
6.1.2 附加光电导现象
[76] 6.1.3 非平衡载流子的复合
2363播放
05:04
6.1.3 非平衡载流子的复合
[77] 6.1.4 非平衡载流子的产生
2225播放
01:36
6.1.4 非平衡载流子的产生
[78] 6.2.1 准平衡
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6.2.1 准平衡
[79] 6.2.2 准费米能级
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6.2.2 准费米能级
[80] 6.3.1 复合的分类
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6.3.1 复合的分类
[81] 6.3.2 直接复合
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6.3.2 直接复合
[82] 6.3.3 间接复合(上)
2189播放
11:11
6.3.3 间接复合(上)
[83] 6.3.3 间接复合(下)
1636播放
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6.3.3 间接复合(下)
[84] 6.3.4 表面复合
1832播放
02:05
6.3.4 表面复合
[85] 6.4.1 陷阱现象
1813播放
01:43
6.4.1 陷阱现象
[86] 6.4.2 成为陷阱的条件
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02:17
6.4.2 成为陷阱的条件
[87] 6.5.1 一维扩散方程
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6.5.1 一维扩散方程
[88] 6.5.2 一维扩散方程的稳态解
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6.5.2 一维扩散方程的稳态解
[89] 6.5.3 扩散电流
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6.5.3 扩散电流
[90] 6.6.1 浓度梯度引起的自建电场
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6.6.1 浓度梯度引起的自建电场
[91] 6.6.2 爱因斯坦关系
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6.6.2 爱因斯坦关系
[92] 6.7.1 连续性方程
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6.7.1 连续性方程
[93] 6.7.2 连续性方程的特例情况
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