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      [2] 1.1.2 原子的周期性阵列(上)
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      [3] 1.1.2 原子的周期性阵列(下)
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      [4] 1.1.3 点阵的基本类型
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      [5] 1.1.4 晶面指数系统(上)
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      [6] 1.1.4 晶面指数系统(下)
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      [7] 1.1.5 常见晶体结构范例(上)
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      [8] 1.1.5 常见晶体结构范例(下)
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      [9] 1.2.1 倒易点阵(上)
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      [10] 1.2.1 倒易点阵(下)
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      [11] 1.2.2 布里渊区
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      [12] 1.2.3 倒易点阵的范例
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      [13] 1.3.1 一维情况下的能级和轨道...
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      [16] 1.3.3 三维情况下的自由电子气...
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      [17] 1.3.3 三维情况下的自由电子气...
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      [18] 1.4.1 布喇格定律
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      [19] 1.4.2 近自由电子模型
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      [21] 1.4.4 布洛赫函数
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      [22] 1.4.5 克朗尼格-朋奈模型(上...
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      [24] 1.4.6 能带中轨道的数目
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      [25] 1.5.1 能带隙
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      [26] 1.5.2 重要半导体材料Si单晶...
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      [28] 2.1.2 半导体中电子的平均速度
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      [29] 2.1.3 半导体中电子的加速度
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      [30] 2.1.4 有效质量的意义
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      [31] 2.2.1 空穴(上)
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      [32] 2.2.1 空穴(下)
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      [33] 2.2.2 本征半导体的导电机构
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      [34] 2.3.1 一般情况下的等能面方程
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      [35] 2.4.1 硅的能带结构
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      [36] 2.4.2 锗的能带结构
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      [37] 2.4.3 能带结构与温度的关系
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      [38] 3.1.1 替位式杂质和间隙式杂质
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      [39] 3.1.2 施主杂质_施主能级_受...
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      [40] 3.1.2 施主杂质_施主能级_受...
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      [41] 3.1.3 杂质浅能级电离能的简单...
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      [42] 3.1.4 杂质的补偿作用
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      [43] 3.1.5 深能级杂质
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      [44] 3.2.1 GaAs中的杂质
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      [45] 3.3.1 点缺陷
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      [78] 6.2.1 准平衡
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      [79] 6.2.2 准费米能级
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      [80] 6.3.1 复合的分类
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      [81] 6.3.2 直接复合
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      [82] 6.3.3 间接复合(上)
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      [83] 6.3.3 间接复合(下)
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      [84] 6.3.4 表面复合
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      [85] 6.4.1 陷阱现象
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      [86] 6.4.2 成为陷阱的条件
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