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7.4 直拉硅单晶生长的基本工艺(下)(下)
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[1] 1.1 半导体材料的研究和应用(上...
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1.1 半导体材料的研究和应用(上)(上)
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[4] 1.2 半导体材料的研究和应用(下...
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[5] 1.3 半导体材料的分类
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1.3 半导体材料的分类
[6] 1.4 半导体材料电学特征
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1.4 半导体材料电学特征
[7] 1.5 半导体材料结构特性
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[8] 1.6 中国半导体材料产业
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[9] 1.7半导体材料展望(上)
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1.7半导体材料展望(上)
[10] 1.7半导体材料展望(下)
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1.7半导体材料展望(下)
[11] 2.1 半导体晶体材料
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2.1 半导体晶体材料
[12] 2.2 晶体生长的热力学理论(上)
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2.2 晶体生长的热力学理论(上)
[13] 2.3 晶体生长的热力学理论(中)...
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2.3 晶体生长的热力学理论(中)(上)
[14] 2.3 晶体生长的热力学理论(中)...
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2.3 晶体生长的热力学理论(中)(下)
[15] 2.4 晶体生长的热力学理论(下)...
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2.4 晶体生长的热力学理论(下)(上)
[16] 2.4 晶体生长的热力学理论(下)...
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2.4 晶体生长的热力学理论(下)(下)
[17] 2.5 晶体生长的动力学理论 (上...
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2.5 晶体生长的动力学理论 (上)
[18] 2.5 晶体生长的动力学理论 (下...
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2.5 晶体生长的动力学理论 (下)
[19] 2.6 晶体的外形 (上)
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2.6 晶体的外形 (上)
[20] 2.6 晶体的外形 (下)
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2.6 晶体的外形 (下)
[21] 3.1 熔体生长晶体技术(一)(上...
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3.1 熔体生长晶体技术(一)(上)
[22] 3.1 熔体生长晶体技术(一)(下...
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3.1 熔体生长晶体技术(一)(下)
[23] 3.2 熔体生长晶体技术(二)(上...
3571播放
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3.2 熔体生长晶体技术(二)(上)
[24] 3.2 熔体生长晶体技术(二)(下...
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3.2 熔体生长晶体技术(二)(下)
[25] 3.3 溶液生长晶体技术(上)
3498播放
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3.3 溶液生长晶体技术(上)
[26] 3.3 溶液生长晶体技术(下)
1813播放
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3.3 溶液生长晶体技术(下)
[27] 3.4 气相生长晶体技术(上)
2931播放
06:58
3.4 气相生长晶体技术(上)
[28] 3.4 气相生长晶体技术(下)
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06:55
3.4 气相生长晶体技术(下)
[29] 3.5 固相生长晶体技术
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3.5 固相生长晶体技术
[30] 4.1 硅的基本性质(上)
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4.1 硅的基本性质(上)
[31] 4.1 硅的基本性质(下)
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4.1 硅的基本性质(下)
[32] 4.2 硅的结构性质(上)
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4.2 硅的结构性质(上)
[33] 4.2 硅的结构性质(下)
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4.2 硅的结构性质(下)
[34] 4.3 硅的电学性质(上)
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06:29
4.3 硅的电学性质(上)
[35] 4.3 硅的电学性质(下)
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4.3 硅的电学性质(下)
[36] 4.4 硅的化学性质
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4.4 硅的化学性质
[37] 4.5 硅的光学性质
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4.5 硅的光学性质
[38] 4.6 硅的其他性质
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07:49
4.6 硅的其他性质
[39] 4.7 硅的常见形式
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08:33
4.7 硅的常见形式
[40] 5.1 金属硅的制备(上)
3048播放
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5.1 金属硅的制备(上)
[41] 5.1 金属硅的制备(下)
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5.1 金属硅的制备(下)
[42] 5.2 半导体级高纯多晶硅的制备(...
2287播放
08:01
5.2 半导体级高纯多晶硅的制备(上)(上)
[43] 5.2 半导体级高纯多晶硅的制备(...
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5.2 半导体级高纯多晶硅的制备(上)(下)
[44] 5.3 半导体级高纯多晶硅的制备(...
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5.3 半导体级高纯多晶硅的制备(中)
[45] 5.4 半导体级高纯多晶锗的制备(...
1670播放
05:27
5.4 半导体级高纯多晶锗的制备(下)(上)
[46] 5.4 半导体级高纯多晶锗的制备(...
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5.4 半导体级高纯多晶锗的制备(下)(下)
[47] 5.5 太阳能级多晶硅的物理冶金制...
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5.5 太阳能级多晶硅的物理冶金制备(上)
[48] 5.5 太阳能级多晶硅的物理冶金制...
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5.5 太阳能级多晶硅的物理冶金制备(下)
[49] 5.6 半导体级高纯多晶锗的制备(...
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5.6 半导体级高纯多晶锗的制备(上)
[50] 5.6 半导体级高纯多晶锗的制备(...
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5.6 半导体级高纯多晶锗的制备(下)
[51] 6.1 分凝(上)(上)
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6.1 分凝(上)(上)
[52] 6.1 分凝(上)(下)
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6.1 分凝(上)(下)
[53] 6.2 分凝(中)
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6.2 分凝(中)
[54] 6.3 分凝(下)(上)
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6.3 分凝(下)(上)
[55] 6.3 分凝(下)(下)
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6.3 分凝(下)(下)
[56] 6.4 区熔的原理(上)
2425播放
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6.4 区熔的原理(上)
[57] 6.4 区熔的原理(下)
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6.4 区熔的原理(下)
[58] 6.5 区熔硅单晶(上)(上)
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6.5 区熔硅单晶(上)(上)
[59] 6.5 区熔硅单晶(上)(下)
1700播放
05:00
6.5 区熔硅单晶(上)(下)
[60] 6.6 区熔硅单晶(下)(上)
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6.6 区熔硅单晶(下)(上)
[61] 6.6 区熔硅单晶(下)(下)
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6.6 区熔硅单晶(下)(下)
[62] 7.1 直拉硅单晶
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7.1 直拉硅单晶
[63] 7.2 直拉硅单晶生长的基本工艺(...
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7.2 直拉硅单晶生长的基本工艺(上)(上)
[64] 7.2 直拉硅单晶生长的基本工艺(...
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7.2 直拉硅单晶生长的基本工艺(上)(下)
[65] 7.3 直拉硅单晶生长的基本工艺(...
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7.3 直拉硅单晶生长的基本工艺(中)(上)
[66] 7.3 直拉硅单晶生长的基本工艺(...
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7.3 直拉硅单晶生长的基本工艺(中)(下)
[67] 7.4 直拉硅单晶生长的基本工艺(...
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7.4 直拉硅单晶生长的基本工艺(下)(上)
[68] 7.4 直拉硅单晶生长的基本工艺(...
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待播放
7.4 直拉硅单晶生长的基本工艺(下)(下)
[69] 7.5 单晶生长的主要影响因素
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7.5 单晶生长的主要影响因素
[70] 7.6 新型直拉硅单晶生长工艺(上...
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07:04
7.6 新型直拉硅单晶生长工艺(上)
[71] 7.6 新型直拉硅单晶生长工艺(下...
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7.6 新型直拉硅单晶生长工艺(下)
[72] 7.7 直拉硅单晶的加工(上)(上...
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7.7 直拉硅单晶的加工(上)(上)
[73] 7.7 直拉硅单晶的加工(上)(下...
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7.7 直拉硅单晶的加工(上)(下)
[74] 7.8 直拉硅单晶的加工(下)(上...
2252播放
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7.8 直拉硅单晶的加工(下)(上)
[75] 7.8 直拉硅单晶的加工(下)(下...
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7.8 直拉硅单晶的加工(下)(下)
[76] 8.1 直拉硅单晶的掺杂技术(上)...
2451播放
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8.1 直拉硅单晶的掺杂技术(上)(上)
[77] 8.1 直拉硅单晶的掺杂技术(上)...
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8.1 直拉硅单晶的掺杂技术(上)(下)
[78] 8.2 直拉硅单晶的掺杂技术(下)...
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8.2 直拉硅单晶的掺杂技术(下)(上)
[79] 8.2 直拉硅单晶的掺杂技术(下)...
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8.2 直拉硅单晶的掺杂技术(下)(下)
[80] 8.3 直拉硅单晶的掺杂浓度(上)
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8.3 直拉硅单晶的掺杂浓度(上)
[81] 8.3 直拉硅单晶的掺杂浓度(下)
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8.3 直拉硅单晶的掺杂浓度(下)
[82] 8.4 直拉硅单晶的轻元素杂质(上...
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8.4 直拉硅单晶的轻元素杂质(上)
[83] 8.4 直拉硅单晶的轻元素杂质(下...
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8.4 直拉硅单晶的轻元素杂质(下)
[84] 8.5 直拉硅中金属杂质
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8.5 直拉硅中金属杂质
[85] 8.6 直拉硅单晶的缺陷
2578播放
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8.6 直拉硅单晶的缺陷
[86] 9.1 单晶硅薄膜材料(上)(上)
2167播放
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9.1 单晶硅薄膜材料(上)(上)
[87] 9.1 单晶硅薄膜材料(上)(下)
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9.1 单晶硅薄膜材料(上)(下)
[88] 9.2 单晶硅薄膜材料(下)(上)
1863播放
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9.2 单晶硅薄膜材料(下)(上)
[89] 9.2 单晶硅薄膜材料(下)(下)
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9.2 单晶硅薄膜材料(下)(下)
[90] 9.3 绝缘体上的单晶硅薄膜(上)
1413播放
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9.3 绝缘体上的单晶硅薄膜(上)
[91] 9.3 绝缘体上的单晶硅薄膜(下)
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9.3 绝缘体上的单晶硅薄膜(下)
[92] 9.4 非晶硅薄膜材料(上)(上)
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9.4 非晶硅薄膜材料(上)(上)
[93] 9.4 非晶硅薄膜材料(上)(下)
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9.4 非晶硅薄膜材料(上)(下)
[94] 9.5 非晶硅薄膜材料(下)(上)
1650播放
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9.5 非晶硅薄膜材料(下)(上)
[95] 9.5 非晶硅薄膜材料(下)(下)
1212播放
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9.5 非晶硅薄膜材料(下)(下)
[96] 9.6 多晶硅薄膜(上)
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9.6 多晶硅薄膜(上)
[97] 9.6 多晶硅薄膜(下)
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9.6 多晶硅薄膜(下)
[98] 10.1 III-V族化合物半导体...
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10.1 III-V族化合物半导体的性质(上)
[99] 10.1 III-V族化合物半导体...
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10.1 III-V族化合物半导体的性质(下)
[100] 10.2 GaAs半导体材料(上)...
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10.2 GaAs半导体材料(上)(上)
[101] 10.2 GaAs半导体材料(上)...
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[102] 10.3 GaAs半导体材料(中)...
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10.3 GaAs半导体材料(中)(上)
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[104] 10.4 GaAs半导体材料(下)...
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10.4 GaAs半导体材料(下)(上)
[105] 10.4 GaAs半导体材料(下)...
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10.4 GaAs半导体材料(下)(下)
[106] 10.5 其他III-V族化合物半...
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10.5 其他III-V族化合物半导体(上)
[107] 10.5 其他III-V族化合物半...
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10.5 其他III-V族化合物半导体(下)
[108] 11.1 GaN的基本性质(上)
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[111] 11.3 GaN的晶体结构和能带
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[112] 11.4 GaN单晶的制备
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11.4 GaN单晶的制备
[113] 11.5 GaN薄膜单晶的制备(上...
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11.5 GaN薄膜单晶的制备(上)
[114] 11.5 GaN薄膜单晶的制备(下...
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11.5 GaN薄膜单晶的制备(下)
[115] 11.6 GaN薄膜单晶的掺杂(上...
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11.6 GaN薄膜单晶的掺杂(上)
[116] 11.6 GaN薄膜单晶的掺杂(下...
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[117] 12.1 II-VI族化合物半导体...
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12.1 II-VI族化合物半导体的性质(上)
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[121] 12.3 CdTe半导体材料(上)
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12.3 CdTe半导体材料(上)
[122] 12.3 CdTe半导体材料(下)
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[123] 12.4 II-VI族多元化合物材...
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12.4 II-VI族多元化合物材料
[124] 13.1 ZnO的基本性质(上)
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13.1 ZnO的基本性质(上)
[125] 13.1 ZnO的基本性质(下)
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13.1 ZnO的基本性质(下)
[126] 13.2 ZnO的晶体结构、能带及...
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[127] 13.2 ZnO的晶体结构、能带及...
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13.2 ZnO的晶体结构、能带及体单晶制备(下)
[128] 13.3 ZnO薄膜单晶的制备(上...
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13.3 ZnO薄膜单晶的制备(上)
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13.3 ZnO薄膜单晶的制备(下)
[130] 13.4 ZnO单晶的掺杂(上)
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13.4 ZnO单晶的掺杂(上)
[131] 13.4 ZnO单晶的掺杂(下)
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13.4 ZnO单晶的掺杂(下)
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[133] 14.1 SiC的基本性质(上)(...
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14.1 SiC的基本性质(上)(下)
[134] 14.2 SiC的基本性质(下)(...
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[135] 14.2 SiC的基本性质(下)(...
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14.2 SiC的基本性质(下)(下)
[136] 14.3 SiC的晶体结构和能带
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14.4 SiC体单晶的制备(上)
[138] 14.4 SiC体单晶的制备(下)
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14.4 SiC体单晶的制备(下)
[139] 14.5 SiC薄膜单晶的制备(上...
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14.5 SiC薄膜单晶的制备(上)
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14.6 SiC单晶的掺杂(下)
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