APP下载
反馈
2.2 PN结的形成与特性(下)
收藏
下载
手机看
扫描二维码 用手机看
已观看至0分0秒
打开网易公开课APP-我的-右上角扫一扫,在手机上观看,还可以缓存视频,加入学习计划
还没有公开课客户端?立即下载
0播放
选集(0)
自动播放
登录后可发评论

评论沙发是我的~

热门评论(0)
    全部评论(0)
      武汉理工大学公开课:模拟电子技术基础
      • 学校:武汉理工大学
      • 集数:25
      • 课程简介:许菲,武汉理工大学副教授。本课程由许菲等五位名师授课,整个课程分十二个章节讲解相关半导体基础知识,半导体元件二极管、BJT与FET的工作原理及特性,用于小信号放大、大信号功率放大、信号的运算、检测、处理与产生等的典型模拟电路工作原理与应用、放大性能与频率特性及其改善。
      相关推荐
      15:46
      02PN结的形成(上)
      8529播放
      06:50
      第2部分 15.1.2半导体和PN...
      1047播放
      07:18
      【上海工程技术大学公开课:微摄影之...
      2295播放
      08:56
      10.1 物质循环基本特点(上)
      1550播放
      16:10
      8.2形状特征提取与分析(下)
      1382播放
      07:32
      1.2.2 酸碱电子理论 1.2....
      3378播放
      20:50
      四、数字特征 03(下)
      1249播放
      06:20
      【人体形态学基础实验(解剖学部分)...
      1390播放
      11:34
      【电子科技大学公开课:现代信息技术...
      2.1万播放
      04:49
      九年级数学:P在圆上运动,怎么求P...
      1325播放
      15:26
      3.5 FPGA原理及结构(上)
      1763播放
      09:08
      1.2数制和码制(2)——“ 透过...
      714播放
      07:07
      【基础生物化学】8. 酶的特性(上...
      1304播放
      07:55
      12.10BFC的特性1(下)
      1011播放