半导体材料-2.4 晶体生长的热力学理论（下）（上）-网易公开课

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2.4 晶体生长的热力学理论（下）（上）

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1.3 半导体材料的分类

[6] 1.4 半导体材料电学特征

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1.4 半导体材料电学特征

[7] 1.5 半导体材料结构特性

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1.5 半导体材料结构特性

[8] 1.6 中国半导体材料产业

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1.6 中国半导体材料产业

[9] 1.7半导体材料展望（上）

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1.7半导体材料展望（上）

[10] 1.7半导体材料展望（下）

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[11] 2.1 半导体晶体材料

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2.1 半导体晶体材料

[12] 2.2 晶体生长的热力学理论（上）

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2.2 晶体生长的热力学理论（上）

[13] 2.3 晶体生长的热力学理论（中）...

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2.3 晶体生长的热力学理论（中）（上）

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2.3 晶体生长的热力学理论（中）（下）

[15] 2.4 晶体生长的热力学理论（下）...

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2.4 晶体生长的热力学理论（下）（上）

[16] 2.4 晶体生长的热力学理论（下）...

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2.4 晶体生长的热力学理论（下）（下）

[17] 2.5 晶体生长的动力学理论（上...

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2.5 晶体生长的动力学理论（上）

[18] 2.5 晶体生长的动力学理论（下...

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2.5 晶体生长的动力学理论（下）

[19] 2.6 晶体的外形（上）

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2.6 晶体的外形（上）

[20] 2.6 晶体的外形（下）

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2.6 晶体的外形（下）

[21] 3.1 熔体生长晶体技术（一）（上...

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3.1 熔体生长晶体技术（一）（上）

[22] 3.1 熔体生长晶体技术（一）（下...

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3.1 熔体生长晶体技术（一）（下）

[23] 3.2 熔体生长晶体技术（二）（上...

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3.2 熔体生长晶体技术（二）（上）

[24] 3.2 熔体生长晶体技术（二）（下...

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3.2 熔体生长晶体技术（二）（下）

[25] 3.3 溶液生长晶体技术（上）

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3.3 溶液生长晶体技术（上）

[26] 3.3 溶液生长晶体技术（下）

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3.3 溶液生长晶体技术（下）

[27] 3.4 气相生长晶体技术（上）

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3.4 气相生长晶体技术（上）

[28] 3.4 气相生长晶体技术（下）

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3.4 气相生长晶体技术（下）

[29] 3.5 固相生长晶体技术

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3.5 固相生长晶体技术

[30] 4.1 硅的基本性质（上）

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4.1 硅的基本性质（上）

[31] 4.1 硅的基本性质（下）

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4.1 硅的基本性质（下）

[32] 4.2 硅的结构性质（上）

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4.2 硅的结构性质（上）

[33] 4.2 硅的结构性质（下）

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4.2 硅的结构性质（下）

[34] 4.3 硅的电学性质（上）

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4.3 硅的电学性质（上）

[35] 4.3 硅的电学性质（下）

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4.3 硅的电学性质（下）

[36] 4.4 硅的化学性质

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4.4 硅的化学性质

[37] 4.5 硅的光学性质

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4.5 硅的光学性质

[38] 4.6 硅的其他性质

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4.6 硅的其他性质

[39] 4.7 硅的常见形式

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4.7 硅的常见形式

[40] 5.1 金属硅的制备（上）

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5.1 金属硅的制备（上）

[41] 5.1 金属硅的制备（下）

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5.1 金属硅的制备（下）

[42] 5.2 半导体级高纯多晶硅的制备（...

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5.2 半导体级高纯多晶硅的制备（上）（上）

[43] 5.2 半导体级高纯多晶硅的制备（...

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5.2 半导体级高纯多晶硅的制备（上）（下）

[44] 5.3 半导体级高纯多晶硅的制备（...

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5.3 半导体级高纯多晶硅的制备（中）

[45] 5.4 半导体级高纯多晶锗的制备（...

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5.4 半导体级高纯多晶锗的制备（下）（上）

[46] 5.4 半导体级高纯多晶锗的制备（...

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5.4 半导体级高纯多晶锗的制备（下）（下）

[47] 5.5 太阳能级多晶硅的物理冶金制...

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5.5 太阳能级多晶硅的物理冶金制备（上）

[48] 5.5 太阳能级多晶硅的物理冶金制...

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5.5 太阳能级多晶硅的物理冶金制备（下）

[49] 5.6 半导体级高纯多晶锗的制备（...

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5.6 半导体级高纯多晶锗的制备（上）

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5.6 半导体级高纯多晶锗的制备（下）

[51] 6.1 分凝（上）（上）

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6.1 分凝（上）（上）

[52] 6.1 分凝（上）（下）

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6.1 分凝（上）（下）

[53] 6.2 分凝（中）

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6.2 分凝（中）

[54] 6.3 分凝（下）（上）

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6.3 分凝（下）（上）

[55] 6.3 分凝（下）（下）

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6.3 分凝（下）（下）

[56] 6.4 区熔的原理（上）

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6.4 区熔的原理（上）

[57] 6.4 区熔的原理（下）

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6.4 区熔的原理（下）

[58] 6.5 区熔硅单晶（上）（上）

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6.5 区熔硅单晶（上）（上）

[59] 6.5 区熔硅单晶（上）（下）

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6.5 区熔硅单晶（上）（下）

[60] 6.6 区熔硅单晶（下）（上）

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6.6 区熔硅单晶（下）（上）

[61] 6.6 区熔硅单晶（下）（下）

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6.6 区熔硅单晶（下）（下）

[62] 7.1 直拉硅单晶

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7.1 直拉硅单晶

[63] 7.2 直拉硅单晶生长的基本工艺（...

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7.2 直拉硅单晶生长的基本工艺（上）（上）

[64] 7.2 直拉硅单晶生长的基本工艺（...

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7.2 直拉硅单晶生长的基本工艺（上）（下）

[65] 7.3 直拉硅单晶生长的基本工艺（...

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7.3 直拉硅单晶生长的基本工艺（中）（上）

[66] 7.3 直拉硅单晶生长的基本工艺（...

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7.3 直拉硅单晶生长的基本工艺（中）（下）

[67] 7.4 直拉硅单晶生长的基本工艺（...

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7.4 直拉硅单晶生长的基本工艺（下）（上）

[68] 7.4 直拉硅单晶生长的基本工艺（...

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7.4 直拉硅单晶生长的基本工艺（下）（下）

[69] 7.5 单晶生长的主要影响因素

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7.5 单晶生长的主要影响因素

[70] 7.6 新型直拉硅单晶生长工艺（上...

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7.6 新型直拉硅单晶生长工艺（上）

[71] 7.6 新型直拉硅单晶生长工艺（下...

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7.6 新型直拉硅单晶生长工艺（下）

[72] 7.7 直拉硅单晶的加工（上）（上...

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7.7 直拉硅单晶的加工（上）（上）

[73] 7.7 直拉硅单晶的加工（上）（下...

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7.7 直拉硅单晶的加工（上）（下）

[74] 7.8 直拉硅单晶的加工（下）（上...

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7.8 直拉硅单晶的加工（下）（上）

[75] 7.8 直拉硅单晶的加工（下）（下...

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7.8 直拉硅单晶的加工（下）（下）

[76] 8.1 直拉硅单晶的掺杂技术（上）...

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8.1 直拉硅单晶的掺杂技术（上）（上）

[77] 8.1 直拉硅单晶的掺杂技术（上）...

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8.1 直拉硅单晶的掺杂技术（上）（下）

[78] 8.2 直拉硅单晶的掺杂技术（下）...

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8.2 直拉硅单晶的掺杂技术（下）（上）

[79] 8.2 直拉硅单晶的掺杂技术（下）...

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8.2 直拉硅单晶的掺杂技术（下）（下）

[80] 8.3 直拉硅单晶的掺杂浓度（上）

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8.3 直拉硅单晶的掺杂浓度（上）

[81] 8.3 直拉硅单晶的掺杂浓度（下）

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8.3 直拉硅单晶的掺杂浓度（下）

[82] 8.4 直拉硅单晶的轻元素杂质（上...

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8.4 直拉硅单晶的轻元素杂质（上）

[83] 8.4 直拉硅单晶的轻元素杂质（下...

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8.4 直拉硅单晶的轻元素杂质（下）

[84] 8.5 直拉硅中金属杂质

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8.5 直拉硅中金属杂质

[85] 8.6 直拉硅单晶的缺陷

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8.6 直拉硅单晶的缺陷

[86] 9.1 单晶硅薄膜材料（上）（上）

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9.1 单晶硅薄膜材料（上）（上）

[87] 9.1 单晶硅薄膜材料（上）（下）

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9.1 单晶硅薄膜材料（上）（下）

[88] 9.2 单晶硅薄膜材料（下）（上）

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9.2 单晶硅薄膜材料（下）（上）

[89] 9.2 单晶硅薄膜材料（下）（下）

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9.2 单晶硅薄膜材料（下）（下）

[90] 9.3 绝缘体上的单晶硅薄膜（上）

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9.3 绝缘体上的单晶硅薄膜（上）

[91] 9.3 绝缘体上的单晶硅薄膜（下）

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9.3 绝缘体上的单晶硅薄膜（下）

[92] 9.4 非晶硅薄膜材料（上）（上）

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9.4 非晶硅薄膜材料（上）（上）

[93] 9.4 非晶硅薄膜材料（上）（下）

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9.4 非晶硅薄膜材料（上）（下）

[94] 9.5 非晶硅薄膜材料（下）（上）

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9.5 非晶硅薄膜材料（下）（上）

[95] 9.5 非晶硅薄膜材料（下）（下）

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9.5 非晶硅薄膜材料（下）（下）

[96] 9.6 多晶硅薄膜（上）

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9.6 多晶硅薄膜（上）

[97] 9.6 多晶硅薄膜（下）

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9.6 多晶硅薄膜（下）

[98] 10.1 III-V族化合物半导体...

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10.1 III-V族化合物半导体的性质（上）

[99] 10.1 III-V族化合物半导体...

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10.1 III-V族化合物半导体的性质（下）

[100] 10.2 GaAs半导体材料（上）...

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10.2 GaAs半导体材料（上）（上）

[101] 10.2 GaAs半导体材料（上）...

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10.2 GaAs半导体材料（上）（下）

[102] 10.3 GaAs半导体材料（中）...

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10.3 GaAs半导体材料（中）（上）

[103] 10.3 GaAs半导体材料（中）...

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10.3 GaAs半导体材料（中）（下）

[104] 10.4 GaAs半导体材料（下）...

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10.4 GaAs半导体材料（下）（上）

[105] 10.4 GaAs半导体材料（下）...

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10.4 GaAs半导体材料（下）（下）

[106] 10.5 其他III-V族化合物半...

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10.5 其他III-V族化合物半导体（上）

[107] 10.5 其他III-V族化合物半...

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10.5 其他III-V族化合物半导体（下）

[108] 11.1 GaN的基本性质（上）

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11.1 GaN的基本性质（上）

[109] 11.2 GaN的基本性质（下）（...

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11.2 GaN的基本性质（下）（上）

[110] 11.2 GaN的基本性质（下）（...

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11.2 GaN的基本性质（下）（下）

[111] 11.3 GaN的晶体结构和能带

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11.3 GaN的晶体结构和能带

[112] 11.4 GaN单晶的制备

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11.4 GaN单晶的制备

[113] 11.5 GaN薄膜单晶的制备（上...

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11.5 GaN薄膜单晶的制备（上）

[114] 11.5 GaN薄膜单晶的制备（下...

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11.5 GaN薄膜单晶的制备（下）

[115] 11.6 GaN薄膜单晶的掺杂（上...

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11.6 GaN薄膜单晶的掺杂（上）

[116] 11.6 GaN薄膜单晶的掺杂（下...

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11.6 GaN薄膜单晶的掺杂（下）

[117] 12.1 II-VI族化合物半导体...

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12.1 II-VI族化合物半导体的性质（上）

[118] 12.1 II-VI族化合物半导体...

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12.1 II-VI族化合物半导体的性质（下）

[119] 12.2 II-VI族化合物半导体...

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12.2 II-VI族化合物半导体的制备（上）

[120] 12.2 II-VI族化合物半导体...

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12.2 II-VI族化合物半导体的制备（下）

[121] 12.3 CdTe半导体材料（上）

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12.3 CdTe半导体材料（上）

[122] 12.3 CdTe半导体材料（下）

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12.3 CdTe半导体材料（下）

[123] 12.4 II-VI族多元化合物材...

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12.4 II-VI族多元化合物材料

[124] 13.1 ZnO的基本性质（上）

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13.1 ZnO的基本性质（上）

[125] 13.1 ZnO的基本性质（下）

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13.1 ZnO的基本性质（下）

[126] 13.2 ZnO的晶体结构、能带及...

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13.2 ZnO的晶体结构、能带及体单晶制备（上）

[127] 13.2 ZnO的晶体结构、能带及...

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13.2 ZnO的晶体结构、能带及体单晶制备（下）

[128] 13.3 ZnO薄膜单晶的制备（上...

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13.3 ZnO薄膜单晶的制备（上）

[129] 13.3 ZnO薄膜单晶的制备（下...

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13.3 ZnO薄膜单晶的制备（下）

[130] 13.4 ZnO单晶的掺杂（上）

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13.4 ZnO单晶的掺杂（上）

[131] 13.4 ZnO单晶的掺杂（下）

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13.4 ZnO单晶的掺杂（下）

[132] 14.1 SiC的基本性质（上）（...

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14.1 SiC的基本性质（上）（上）

[133] 14.1 SiC的基本性质（上）（...

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14.1 SiC的基本性质（上）（下）

[134] 14.2 SiC的基本性质（下）（...

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14.2 SiC的基本性质（下）（上）

[135] 14.2 SiC的基本性质（下）（...

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14.2 SiC的基本性质（下）（下）

[136] 14.3 SiC的晶体结构和能带

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14.3 SiC的晶体结构和能带

[137] 14.4 SiC体单晶的制备（上）

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14.4 SiC体单晶的制备（上）

[138] 14.4 SiC体单晶的制备（下）

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14.4 SiC体单晶的制备（下）

[139] 14.5 SiC薄膜单晶的制备（上...

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14.5 SiC薄膜单晶的制备（上）

[140] 14.5 SiC薄膜单晶的制备（下...

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14.5 SiC薄膜单晶的制备（下）

[141] 14.6 SiC单晶的掺杂（上）

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14.6 SiC单晶的掺杂（上）

[142] 14.6 SiC单晶的掺杂（下）

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14.6 SiC单晶的掺杂（下）

[143] 浙江大学硅材料研究（上）

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浙江大学硅材料研究（上）

[144] 浙江大学硅材料研究（下）

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浙江大学硅材料研究（下）