半导体材料
本课程共2集 翻译完 欢迎学习
课程介绍:半导体材料是现代高科技的基础材料,对国家现代化进程有重要作用。浙江大学半导体材料学科建立于20世纪50年代,60多年来在半导体材料教学、科研和人才培养等方面积累了大量的实践经验,在国内外有重要的学术影响,也为我国半导体材料领域培养了大批高级人才。从20世纪70年代末开始,浙江大学开始了“半导体材料”课程的教学,主要从专业理论和技术知识、学习能力等方面对学生进行综合培养,同时拓宽学生的专业视野,让学生熟悉半导体材料国际前沿的研究内容,了解其发展趋势。本课程是一门基础理论和实际应用有着紧密联系的课程,该课程会涉及到半导体物理、材料科学基础、热力学与动力学等基础理论,同时也涉及到半导体晶体生长、加工过程和产业应用等实践问题。另外,这门课程还有一个特点,即半导体材料本身也是国际上的研究热点,新的知识不断涌现出来,呈现出新的发展趋势,因此该课程属于开放式课程。它不像一些基础课程的内容是固定下来的,而是不断地深化和延伸。
课程列表
【第1集】1.1 半导体材料的研究和应用(上)(上) 译
【第2集】1.1 半导体材料的研究和应用(上)(下) 译
【第3集】1.2 半导体材料的研究和应用(下) (上) 译
【第4集】1.2 半导体材料的研究和应用(下) (下) 译
【第5集】1.3 半导体材料的分类 译
【第6集】1.4 半导体材料电学特征 译
【第7集】1.5 半导体材料结构特性 译
【第8集】1.6 中国半导体材料产业 译
【第9集】1.7半导体材料展望(上) 译
【第10集】1.7半导体材料展望(下) 译
【第11集】2.1 半导体晶体材料 译
【第12集】2.2 晶体生长的热力学理论(上) 译
【第13集】2.3 晶体生长的热力学理论(中)(上) 译
【第14集】2.3 晶体生长的热力学理论(中)(下) 译
【第15集】2.4 晶体生长的热力学理论(下)(上) 译
【第16集】2.4 晶体生长的热力学理论(下)(下) 译
【第17集】2.5 晶体生长的动力学理论 (上) 译
【第18集】2.5 晶体生长的动力学理论 (下) 译
【第19集】2.6 晶体的外形 (上) 译
【第20集】2.6 晶体的外形 (下) 译
【第21集】3.1 熔体生长晶体技术(一)(上) 译
【第22集】3.1 熔体生长晶体技术(一)(下) 译
【第23集】3.2 熔体生长晶体技术(二)(上) 译
【第24集】3.2 熔体生长晶体技术(二)(下) 译
【第25集】3.3 溶液生长晶体技术(上) 译
【第26集】3.3 溶液生长晶体技术(下) 译
【第27集】3.4 气相生长晶体技术(上) 译
【第28集】3.4 气相生长晶体技术(下) 译
【第29集】3.5 固相生长晶体技术 译
【第30集】4.1 硅的基本性质(上) 译
【第31集】4.1 硅的基本性质(下) 译
【第32集】4.2 硅的结构性质(上) 译
【第33集】4.2 硅的结构性质(下) 译
【第34集】4.3 硅的电学性质(上) 译
【第35集】4.3 硅的电学性质(下) 译
【第36集】4.4 硅的化学性质 译
【第37集】4.5 硅的光学性质 译
【第38集】4.6 硅的其他性质 译
【第39集】4.7 硅的常见形式 译
【第40集】5.1 金属硅的制备(上) 译
【第41集】5.1 金属硅的制备(下) 译
【第42集】5.2 半导体级高纯多晶硅的制备(上)(上) 译
【第43集】5.2 半导体级高纯多晶硅的制备(上)(下) 译
【第44集】5.3 半导体级高纯多晶硅的制备(中) 译
【第45集】5.4 半导体级高纯多晶锗的制备(下)(上) 译
【第46集】5.4 半导体级高纯多晶锗的制备(下)(下) 译
【第47集】5.5 太阳能级多晶硅的物理冶金制备(上) 译
【第48集】5.5 太阳能级多晶硅的物理冶金制备(下) 译
【第49集】5.6 半导体级高纯多晶锗的制备(上) 译
【第50集】5.6 半导体级高纯多晶锗的制备(下) 译
【第51集】6.1 分凝(上)(上) 译
【第52集】6.1 分凝(上)(下) 译
【第53集】6.2 分凝(中) 译
【第54集】6.3 分凝(下)(上) 译
【第55集】6.3 分凝(下)(下) 译
【第56集】6.4 区熔的原理(上) 译
【第57集】6.4 区熔的原理(下) 译
【第58集】6.5 区熔硅单晶(上)(上) 译
【第59集】6.5 区熔硅单晶(上)(下) 译
【第60集】6.6 区熔硅单晶(下)(上) 译
【第61集】6.6 区熔硅单晶(下)(下) 译
【第62集】7.1 直拉硅单晶 译
【第63集】7.2 直拉硅单晶生长的基本工艺(上)(上) 译
【第64集】7.2 直拉硅单晶生长的基本工艺(上)(下) 译
【第65集】7.3 直拉硅单晶生长的基本工艺(中)(上) 译
【第66集】7.3 直拉硅单晶生长的基本工艺(中)(下) 译
【第67集】7.4 直拉硅单晶生长的基本工艺(下)(上) 译
【第68集】7.4 直拉硅单晶生长的基本工艺(下)(下) 译
【第69集】7.5 单晶生长的主要影响因素 译
【第70集】7.6 新型直拉硅单晶生长工艺(上) 译
【第71集】7.6 新型直拉硅单晶生长工艺(下) 译
【第72集】7.7 直拉硅单晶的加工(上)(上) 译
【第73集】7.7 直拉硅单晶的加工(上)(下) 译
【第74集】7.8 直拉硅单晶的加工(下)(上) 译
【第75集】7.8 直拉硅单晶的加工(下)(下) 译
【第76集】8.1 直拉硅单晶的掺杂技术(上)(上) 译
【第77集】8.1 直拉硅单晶的掺杂技术(上)(下) 译
【第78集】8.2 直拉硅单晶的掺杂技术(下)(上) 译
【第79集】8.2 直拉硅单晶的掺杂技术(下)(下) 译
【第80集】8.3 直拉硅单晶的掺杂浓度(上) 译
【第81集】8.3 直拉硅单晶的掺杂浓度(下) 译
【第82集】8.4 直拉硅单晶的轻元素杂质(上) 译
【第83集】8.4 直拉硅单晶的轻元素杂质(下) 译
【第84集】8.5 直拉硅中金属杂质 译
【第85集】8.6 直拉硅单晶的缺陷 译
【第86集】9.1 单晶硅薄膜材料(上)(上) 译
【第87集】9.1 单晶硅薄膜材料(上)(下) 译
【第88集】9.2 单晶硅薄膜材料(下)(上) 译
【第89集】9.2 单晶硅薄膜材料(下)(下) 译
【第90集】9.3 绝缘体上的单晶硅薄膜(上) 译
【第91集】9.3 绝缘体上的单晶硅薄膜(下) 译
【第92集】9.4 非晶硅薄膜材料(上)(上) 译
【第93集】9.4 非晶硅薄膜材料(上)(下) 译
【第94集】9.5 非晶硅薄膜材料(下)(上) 译
【第95集】9.5 非晶硅薄膜材料(下)(下) 译
【第96集】9.6 多晶硅薄膜(上) 译
【第97集】9.6 多晶硅薄膜(下) 译
【第98集】10.1 III-V族化合物半导体的性质(上) 译
【第99集】10.1 III-V族化合物半导体的性质(下) 译
【第100集】10.2 GaAs半导体材料(上)(上) 译
【第101集】10.2 GaAs半导体材料(上)(下) 译
【第102集】10.3 GaAs半导体材料(中)(上) 译
【第103集】10.3 GaAs半导体材料(中)(下) 译
【第104集】10.4 GaAs半导体材料(下)(上) 译
【第105集】10.4 GaAs半导体材料(下)(下) 译
【第106集】10.5 其他III-V族化合物半导体(上) 译
【第107集】10.5 其他III-V族化合物半导体(下) 译
【第108集】11.1 GaN的基本性质(上) 译
【第109集】11.2 GaN的基本性质(下)(上) 译
【第110集】11.2 GaN的基本性质(下)(下) 译
【第111集】11.3 GaN的晶体结构和能带 译
【第112集】11.4 GaN单晶的制备 译
【第113集】11.5 GaN薄膜单晶的制备(上) 译
【第114集】11.5 GaN薄膜单晶的制备(下) 译
【第115集】11.6 GaN薄膜单晶的掺杂(上) 译
【第116集】11.6 GaN薄膜单晶的掺杂(下) 译
【第117集】12.1 II-VI族化合物半导体的性质(上) 译
【第118集】12.1 II-VI族化合物半导体的性质(下) 译
【第119集】12.2 II-VI族化合物半导体的制备(上) 译
【第120集】12.2 II-VI族化合物半导体的制备(下) 译
【第121集】12.3 CdTe半导体材料(上) 译
【第122集】12.3 CdTe半导体材料(下) 译
【第123集】12.4 II-VI族多元化合物材料 译
【第124集】13.1 ZnO的基本性质(上) 译
【第125集】13.1 ZnO的基本性质(下) 译
【第126集】13.2 ZnO的晶体结构、能带及体单晶制备(上) 译
【第127集】13.2 ZnO的晶体结构、能带及体单晶制备(下) 译
【第128集】13.3 ZnO薄膜单晶的制备(上) 译
【第129集】13.3 ZnO薄膜单晶的制备(下) 译
【第130集】13.4 ZnO单晶的掺杂(上) 译
【第131集】13.4 ZnO单晶的掺杂(下) 译
【第132集】14.1 SiC的基本性质(上)(上) 译
【第133集】14.1 SiC的基本性质(上)(下) 译
【第134集】14.2 SiC的基本性质(下)(上) 译
【第135集】14.2 SiC的基本性质(下)(下) 译
【第136集】14.3 SiC的晶体结构和能带 译
【第137集】14.4 SiC体单晶的制备(上) 译
【第138集】14.4 SiC体单晶的制备(下) 译
【第139集】14.5 SiC薄膜单晶的制备(上) 译
【第140集】14.5 SiC薄膜单晶的制备(下) 译
【第141集】14.6 SiC单晶的掺杂(上) 译
【第142集】14.6 SiC单晶的掺杂(下) 译
【第143集】浙江大学硅材料研究(上) 译
【第144集】浙江大学硅材料研究(下) 译
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