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半导体材料
本课程共2集 翻译完 欢迎学习

课程介绍:半导体材料是现代高科技的基础材料,对国家现代化进程有重要作用。浙江大学半导体材料学科建立于20世纪50年代,60多年来在半导体材料教学、科研和人才培养等方面积累了大量的实践经验,在国内外有重要的学术影响,也为我国半导体材料领域培养了大批高级人才。从20世纪70年代末开始,浙江大学开始了“半导体材料”课程的教学,主要从专业理论和技术知识、学习能力等方面对学生进行综合培养,同时拓宽学生的专业视野,让学生熟悉半导体材料国际前沿的研究内容,了解其发展趋势。本课程是一门基础理论和实际应用有着紧密联系的课程,该课程会涉及到半导体物理、材料科学基础、热力学与动力学等基础理论,同时也涉及到半导体晶体生长、加工过程和产业应用等实践问题。另外,这门课程还有一个特点,即半导体材料本身也是国际上的研究热点,新的知识不断涌现出来,呈现出新的发展趋势,因此该课程属于开放式课程。它不像一些基础课程的内容是固定下来的,而是不断地深化和延伸。

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课程列表
【第1集】1.1 半导体材料的研究和应用(上)(上)
【第2集】1.1 半导体材料的研究和应用(上)(下)
【第3集】1.2 半导体材料的研究和应用(下) (上)
【第4集】1.2 半导体材料的研究和应用(下) (下)
【第5集】1.3 半导体材料的分类
【第6集】1.4 半导体材料电学特征
【第7集】1.5 半导体材料结构特性
【第8集】1.6 中国半导体材料产业
【第9集】1.7半导体材料展望(上)
【第10集】1.7半导体材料展望(下)
【第11集】2.1 半导体晶体材料
【第12集】2.2 晶体生长的热力学理论(上)
【第13集】2.3 晶体生长的热力学理论(中)(上)
【第14集】2.3 晶体生长的热力学理论(中)(下)
【第15集】2.4 晶体生长的热力学理论(下)(上)
【第16集】2.4 晶体生长的热力学理论(下)(下)
【第17集】2.5 晶体生长的动力学理论 (上)
【第18集】2.5 晶体生长的动力学理论 (下)
【第19集】2.6 晶体的外形 (上)
【第20集】2.6 晶体的外形 (下)
【第21集】3.1 熔体生长晶体技术(一)(上)
【第22集】3.1 熔体生长晶体技术(一)(下)
【第23集】3.2 熔体生长晶体技术(二)(上)
【第24集】3.2 熔体生长晶体技术(二)(下)
【第25集】3.3 溶液生长晶体技术(上)
【第26集】3.3 溶液生长晶体技术(下)
【第27集】3.4 气相生长晶体技术(上)
【第28集】3.4 气相生长晶体技术(下)
【第29集】3.5 固相生长晶体技术
【第30集】4.1 硅的基本性质(上)
【第31集】4.1 硅的基本性质(下)
【第32集】4.2 硅的结构性质(上)
【第33集】4.2 硅的结构性质(下)
【第34集】4.3 硅的电学性质(上)
【第35集】4.3 硅的电学性质(下)
【第36集】4.4 硅的化学性质
【第37集】4.5 硅的光学性质
【第38集】4.6 硅的其他性质
【第39集】4.7 硅的常见形式
【第40集】5.1 金属硅的制备(上)
【第41集】5.1 金属硅的制备(下)
【第42集】5.2 半导体级高纯多晶硅的制备(上)(上)
【第43集】5.2 半导体级高纯多晶硅的制备(上)(下)
【第44集】5.3 半导体级高纯多晶硅的制备(中)
【第45集】5.4 半导体级高纯多晶锗的制备(下)(上)
【第46集】5.4 半导体级高纯多晶锗的制备(下)(下)
【第47集】5.5 太阳能级多晶硅的物理冶金制备(上)
【第48集】5.5 太阳能级多晶硅的物理冶金制备(下)
【第49集】5.6 半导体级高纯多晶锗的制备(上)
【第50集】5.6 半导体级高纯多晶锗的制备(下)
【第51集】6.1 分凝(上)(上)
【第52集】6.1 分凝(上)(下)
【第53集】6.2 分凝(中)
【第54集】6.3 分凝(下)(上)
【第55集】6.3 分凝(下)(下)
【第56集】6.4 区熔的原理(上)
【第57集】6.4 区熔的原理(下)
【第58集】6.5 区熔硅单晶(上)(上)
【第59集】6.5 区熔硅单晶(上)(下)
【第60集】6.6 区熔硅单晶(下)(上)
【第61集】6.6 区熔硅单晶(下)(下)
【第62集】7.1 直拉硅单晶
【第63集】7.2 直拉硅单晶生长的基本工艺(上)(上)
【第64集】7.2 直拉硅单晶生长的基本工艺(上)(下)
【第65集】7.3 直拉硅单晶生长的基本工艺(中)(上)
【第66集】7.3 直拉硅单晶生长的基本工艺(中)(下)
【第67集】7.4 直拉硅单晶生长的基本工艺(下)(上)
【第68集】7.4 直拉硅单晶生长的基本工艺(下)(下)
【第69集】7.5 单晶生长的主要影响因素
【第70集】7.6 新型直拉硅单晶生长工艺(上)
【第71集】7.6 新型直拉硅单晶生长工艺(下)
【第72集】7.7 直拉硅单晶的加工(上)(上)
【第73集】7.7 直拉硅单晶的加工(上)(下)
【第74集】7.8 直拉硅单晶的加工(下)(上)
【第75集】7.8 直拉硅单晶的加工(下)(下)
【第76集】8.1 直拉硅单晶的掺杂技术(上)(上)
【第77集】8.1 直拉硅单晶的掺杂技术(上)(下)
【第78集】8.2 直拉硅单晶的掺杂技术(下)(上)
【第79集】8.2 直拉硅单晶的掺杂技术(下)(下)
【第80集】8.3 直拉硅单晶的掺杂浓度(上)
【第81集】8.3 直拉硅单晶的掺杂浓度(下)
【第82集】8.4 直拉硅单晶的轻元素杂质(上)
【第83集】8.4 直拉硅单晶的轻元素杂质(下)
【第84集】8.5 直拉硅中金属杂质
【第85集】8.6 直拉硅单晶的缺陷
【第86集】9.1 单晶硅薄膜材料(上)(上)
【第87集】9.1 单晶硅薄膜材料(上)(下)
【第88集】9.2 单晶硅薄膜材料(下)(上)
【第89集】9.2 单晶硅薄膜材料(下)(下)
【第90集】9.3 绝缘体上的单晶硅薄膜(上)
【第91集】9.3 绝缘体上的单晶硅薄膜(下)
【第92集】9.4 非晶硅薄膜材料(上)(上)
【第93集】9.4 非晶硅薄膜材料(上)(下)
【第94集】9.5 非晶硅薄膜材料(下)(上)
【第95集】9.5 非晶硅薄膜材料(下)(下)
【第96集】9.6 多晶硅薄膜(上)
【第97集】9.6 多晶硅薄膜(下)
【第98集】10.1 III-V族化合物半导体的性质(上)
【第99集】10.1 III-V族化合物半导体的性质(下)
【第100集】10.2 GaAs半导体材料(上)(上)
【第101集】10.2 GaAs半导体材料(上)(下)
【第102集】10.3 GaAs半导体材料(中)(上)
【第103集】10.3 GaAs半导体材料(中)(下)
【第104集】10.4 GaAs半导体材料(下)(上)
【第105集】10.4 GaAs半导体材料(下)(下)
【第106集】10.5 其他III-V族化合物半导体(上)
【第107集】10.5 其他III-V族化合物半导体(下)
【第108集】11.1 GaN的基本性质(上)
【第109集】11.2 GaN的基本性质(下)(上)
【第110集】11.2 GaN的基本性质(下)(下)
【第111集】11.3 GaN的晶体结构和能带
【第112集】11.4 GaN单晶的制备
【第113集】11.5 GaN薄膜单晶的制备(上)
【第114集】11.5 GaN薄膜单晶的制备(下)
【第115集】11.6 GaN薄膜单晶的掺杂(上)
【第116集】11.6 GaN薄膜单晶的掺杂(下)
【第117集】12.1 II-VI族化合物半导体的性质(上)
【第118集】12.1 II-VI族化合物半导体的性质(下)
【第119集】12.2 II-VI族化合物半导体的制备(上)
【第120集】12.2 II-VI族化合物半导体的制备(下)
【第121集】12.3 CdTe半导体材料(上)
【第122集】12.3 CdTe半导体材料(下)
【第123集】12.4 II-VI族多元化合物材料
【第124集】13.1 ZnO的基本性质(上)
【第125集】13.1 ZnO的基本性质(下)
【第126集】13.2 ZnO的晶体结构、能带及体单晶制备(上)
【第127集】13.2 ZnO的晶体结构、能带及体单晶制备(下)
【第128集】13.3 ZnO薄膜单晶的制备(上)
【第129集】13.3 ZnO薄膜单晶的制备(下)
【第130集】13.4 ZnO单晶的掺杂(上)
【第131集】13.4 ZnO单晶的掺杂(下)
【第132集】14.1 SiC的基本性质(上)(上)
【第133集】14.1 SiC的基本性质(上)(下)
【第134集】14.2 SiC的基本性质(下)(上)
【第135集】14.2 SiC的基本性质(下)(下)
【第136集】14.3 SiC的晶体结构和能带
【第137集】14.4 SiC体单晶的制备(上)
【第138集】14.4 SiC体单晶的制备(下)
【第139集】14.5 SiC薄膜单晶的制备(上)
【第140集】14.5 SiC薄膜单晶的制备(下)
【第141集】14.6 SiC单晶的掺杂(上)
【第142集】14.6 SiC单晶的掺杂(下)
【第143集】浙江大学硅材料研究(上)
【第144集】浙江大学硅材料研究(下)
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