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台湾师范大学公开课：半导体元件物理
台湾师范大学公开课：半导体元件物理
本课程共52集 翻译完 欢迎学习
讲师：刘传玺教授
课程介绍：本课程由刘传玺教授授课讲解：半导体元件物理课程，本课程共12个单元，52节课
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【第1集】第1章半导体元件物理先备知识:1-半导体能带的形成（1） 译
【第2集】第1章半导体元件物理先备知识:1-半导体能带的形成（2） 译
【第3集】第1章半导体元件物理先备知识:1-半导体能带的形成（3） 译
【第4集】第2章 半导体元件物理的基础(一) ：1-半导体能带观念与载子浓度(一) 译
【第5集】第2章 半导体元件物理的基础(一) ：2-半导体能带观念与载子浓度(二) 译
【第6集】第2章 半导体元件物理的基础(一) ：3-半导体能带观念与载子浓度(三)大荧幕 译
【第7集】第2章 半导体元件物理的基础(一) ：4-半导体能带观念与载子浓度(四)大荧幕 译
【第8集】第2章 半导体元件物理的基础(一) ：5-半导体能带观念与载子浓度(五)大荧幕 译
【第9集】第3章 半导体元件物理的基础（二）：1-半导体能带观念与载子浓度（一） 译
【第10集】第3章 半导体元件物理的基础（二）：2-半导体能带观念与载子浓度（二） 译
【第11集】第3章 半导体元件物理的基础（二）：3-半导体能带观念与载子浓度（三） 译
【第12集】第3章 半导体元件物理的基础（二）：4-半导体能带观念与载子浓度（四） 译
【第13集】第3章 半导体元件物理的基础（二）：5-半导体能带观念与载子浓度（五） 译
【第14集】第4章 半导体元件物理的基础（三）：1-载子的传输现象（一） 译
【第15集】第4章 半导体元件物理的基础（三）：2-载子的传输现象（二） 译
【第16集】第4章 半导体元件物理的基础（三）：3-载子的传输现象（三） 译
【第17集】第4章 半导体元件物理的基础（三）：4-载子的传输现象（四） 译
【第18集】第4章 半导体元件物理的基础（三）：5-载子的传输现象（五） 译
【第19集】第5章 半导体元件物理的基础（四）：1-本章结论（一） 译
【第20集】第5章 半导体元件物理的基础（四）：2-本章结论（二） 译
【第21集】第5章 半导体元件物理的基础（四）：3-连续方程式（一） 译
【第22集】第5章 半导体元件物理的基础（四）：4-连续方程式（二） 译
【第23集】第6章 P-N接面的基本结构与特性（一） 译
【第24集】第6章 P-N接面的基本结构与特性（二） 译
【第25集】第6章 零偏压（一） 译
【第26集】第6章 零偏压（二） 译
【第27集】第7章 P-N接面（二）：1-零偏压 译
【第28集】第7章 P-N接面（二）：2-习题演练 译
【第29集】第7章 P-N接面（二）：3-逆向偏压（一） 译
【第30集】第7章 P-N接面（二）：4-逆向偏压（二） 译
【第31集】第7章 P-N接面（二）：5-空乏层电容 译
【第32集】第7章 P-N接面（二）：6-单侧陡接面 译
【第33集】第8章 P-N接面（三）：1-理想二极体I-V特性（1） 译
【第34集】第8章 P-N接面（三）：2-理想二极体I-V特性（2） 译
【第35集】第8章 P-N接面（三）：3-理想二极体I-V特性（3） 译
【第36集】第8章 P-N接面（三）：4-理想二极体I-V特性（4） 译
【第37集】第8章 P-N接面（三）：5-实际二极体I-V特性与接面崩溃 译
【第38集】第8章 P-N接面（三）：6-习题演练 译
【第39集】第9章 金氧半场效电晶体（MOSFET）（一）：1-MOS电容器的结构与特性（1） 译
【第40集】第9章 金氧半场效电晶体（MOSFET）（一）：2-MOS电容器的结构与特性（2） 译
【第41集】第9章 金氧半场效电晶体（MOSFET）（一）：3-理想的MOS（金氧半）元件（1） 译
【第42集】第9章 金氧半场效电晶体（MOSFET）（一）：4-理想的MOS（金氧半）元件（2） 译
【第43集】第10章 金氧半场效电晶体（二）：1-理想的MOS（金氧元）元件（1） 译
【第44集】第10章 金氧半场效电晶体（二）：2-理想的MOS（金氧元）元件（2） 译
【第45集】第10章 金氧半场效电晶体（二）：3-理想的MOS（金氧元）元件（3） 译
【第46集】第10章 金氧半场效电晶体（二）：4-理想的MOS（金氧元）元件（4） 译
【第47集】第10章 金氧半场效电晶体（二）：5-理想的MOS（金氧元）元件（5） 译
【第48集】第11章 金氧半场效电晶体（三）：1-理想MOS的临界电压 译
【第49集】第11章 金氧半场效电晶体（三）：2-理想MOS的临界电压（2） 译
【第50集】第11章 金氧半场效电晶体（三）：3-理想MOS的临界电压（3） 译
【第51集】第12章 金氧半场效电晶体（四）：1-理想MOS的C-V（电容-电压）特性（1） 译
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